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国韵电子中频半轴淬火设备，淬火层深在4-8mm，淬火硬度为HRC55以上。国韵电子半轴淬火设备、花键轴淬火设备都采用ＩＧＢＴ为核心器件：IGBT是一种复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压型控制，输入阻抗大、驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率较高，元件容量大。它不仅达到了晶闸管（可控硅）不能达到的频率（10kHz以上），而且正在逐步取代快速晶闸管。国外1kHz～80kHz的感应加热已广泛应用IGBT，这是感应加热电源的发展方向。国韵电子主要生产15-35KHZ的超音频加热设备、2-10KHZ的中频加热设备。
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